Возникновение р-п перехода в процессе формовки - весьма наглядный, но не единственный механизм, объясняющий вентильные ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных систем


Возникновение р-п перехода в процессе формовки - весьма наглядный, но не единственный механизм, объясняющий вентильные свойства точечного диода. Еще один вариант точечного диода ( не связанный с формовкой) основан на образовании обедненного слоя благодаря достаточно высокой плотности поверхностных состояний ( см. с. В этом случае игла играет роль простого омического контакта с поверхностью полупроводника.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Возникновение р-п перехода в процессе формовки  -  весьма наглядный,  но не единственный механизм,  объясняющий вентильные свойства точечного диода.  Еще один вариант точечного диода ( не связанный с формовкой) основан на образовании обедненного слоя благодаря достаточно высокой плотности поверхностных состояний ( см. с.  В этом случае игла играет роль простого омического контакта с поверхностью полупроводника.