Возникновение р-п перехода в процессе формовки - весьма наглядный, но не единственный механизм, объясняющий вентильные ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Степаненко И.П.
Основы теории транзисторов и транзисторных систем
Возникновение р-п перехода в процессе формовки - весьма наглядный, но не единственный механизм, объясняющий вентильные свойства точечного диода. Еще один вариант точечного диода ( не связанный с формовкой) основан на образовании обедненного слоя благодаря достаточно высокой плотности поверхностных состояний ( см. с. В этом случае игла играет роль простого омического контакта с поверхностью полупроводника.