Выдержка из книги
Трубецков Д.И.
Лекции по сверхвысокочастотной электронике для физиков Том2
Переход к хаотическим колебаниям из режимов Q и R % имеет место через перемежаемость ( область / на карте режимов ( рис. 5.13)), когда регулярная временная реализация прерывается хаотическими всплесками. При росте плотности ионного фона длительность хаотических стадий увеличивается и в системе устанавливается хаотический режим С. Переход к хаотическим режимам с ростом плотности ионного фона по сценарию перемежаемости обусловливается следующим. С ростом плотности ионного фона растет плотность заряда р % во вторичном сгустке, формирующемся в пролетном потоке. При некоторой плотности ионного фона п возникают отражения электронов от него, влияющие на динамику виртуального катода на последующем периоде колебаний. Однако при п к ni это происходит не на каждом периоде колебаний. Поэтому колебания представляют собой регулярные колебания, прерываемые короткими стадиями хаотической динамики. С ростом плотности ионного фона при п П2 наблюдается увеличение P2i отражения от вторичного сгустка становятся все более частыми и, как результат, растет длительность хаотической стадии колебаний.
