Рассмотрим вначале равновесие образования дефектов в простейшем случае междоузлий и вакансий в элементарном кристалле. В ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Рассмотрим вначале равновесие образования дефектов в простейшем случае междоузлий и вакансий в элементарном кристалле. В первую очередь определим равновесное число вакансий; при этом следует отметить, что они возникают в результате перемещения атомов из объема к поверхности кристалла. Изменение энтропии при переходе от совершенного кристалла к кристаллу с дефектами определяется двумя факторами: изменением тепловой энтропии, связанным с изменением числа способов распределения колебательной энергии кристалла по всем колебательным состояниям, возникающим вследствие появления вакансии, а также изменением конфигурационной энтропии или энтропии смешения. Последняя должна быть равна нулю для совершенного кристалла, не содержащего примесей и дефектов, но при Г0 конфигурационная энтропия должна быть положительной из-за наличия собственных дефектов. Ее можно рассчитать, если учесть число различных способов распределения Nv вакансий в ( N - - Nv) узлах решетки, что эквивалентно расчету значения энтропии смешения NV вакансий и N занятых мест.
