Рассмотрим механизм образования зарядов, воспользовавшись снова плоскостной моделью кристаллической решетки. Если в четырехвалентный германий добавить ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Толкачев Г.Б. Радиоэлектроника


Рассмотрим механизм образования зарядов, воспользовавшись снова плоскостной моделью кристаллической решетки. Если в четырехвалентный германий добавить пятивалентное вещество, например сурьму, то пятивалентный атом сурьмы четырьмя валентными электронами образует ковалентную связь с четырьмя соседними атомами германия, а пятый валентный электрон атома сурьмы остается лишним и может быть достаточно легко отделен от атома. Такие полупроводники обладают электропроводностью п-типа. Примеси, которые отдают исходному полупроводнику свои электроны, называют донорными.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Рассмотрим механизм образования зарядов,  воспользовавшись снова плоскостной моделью кристаллической решетки.  Если в четырехвалентный германий добавить пятивалентное вещество,  например сурьму,  то пятивалентный атом сурьмы четырьмя валентными электронами образует ковалентную связь с четырьмя соседними атомами германия,  а пятый валентный электрон атома сурьмы остается лишним и может быть достаточно легко отделен от атома.  Такие полупроводники обладают электропроводностью п-типа.  Примеси,  которые отдают исходному полупроводнику свои электроны,  называют донорными.