В соответствии с этим при осаждении металла поверхностная концентрация адионов в середине плоскости кристалла является ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Бокрис Д.N. Современные аспекты электрохимии


В соответствии с этим при осаждении металла поверхностная концентрация адионов в середине плоскости кристалла является наибольшей ( рис. 8) и, следовательно, при контроле реакции скоростью поверхностной диффузии реакция переноса заряда фактически протекает равновесно. Поскольку скорость реакции переноса в обратном ( анодном) направлении при данном потенциале пропорциональна локальной поверхностной концентрации адионов, она будет наибольшей в точке, лежащей посредине между двумя растущими ступенями.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

В соответствии с этим при осаждении металла поверхностная концентрация адионов в середине плоскости кристалла является наибольшей ( рис. 8) и, следовательно, при контроле реакции скоростью поверхностной диффузии реакция переноса заряда фактически протекает равновесно. Поскольку скорость реакции переноса в обратном ( анодном) направлении при данном потенциале пропорциональна локальной поверхностной концентрации адионов, она будет наибольшей в точке, лежащей посредине между двумя растущими ступенями.