Изучение характера распределения легирующей примеси по толщине слоя, проведенное для случая наращивания на химически полированную ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Александров Л.И. Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Часть 1


Изучение характера распределения легирующей примеси по толщине слоя, проведенное для случая наращивания на химически полированную подложку ( рис. 6, кривая 1) и на такую же подложку, подвергнутую газовому полирующему травлению ( кривая 2), показало, что в последнем случае наблюдается минимальная переходная область, которая, по-видимому, обусловлена уже не изменением морфологии поверхности, а главным образом автолегированием за счет сильнолегированной подложки. Для доказательства этого были проведены эксперименты по выращиванию слоев на слаболегированные эпитаксиальные слои, служившие подложками. Однако, если провести газовое травление пленки перед наращиванием, переходный слой не образуется ( см. рис. 7, б) и подвижность электронов не меняется за границей раздела слоев.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Изучение характера распределения легирующей примеси по толщине слоя, проведенное для случая наращивания на химически полированную подложку ( рис. 6, кривая 1) и на такую же подложку, подвергнутую газовому полирующему травлению ( кривая 2), показало, что в последнем случае наблюдается минимальная переходная область, которая, по-видимому, обусловлена уже не изменением морфологии поверхности, а главным образом автолегированием за счет сильнолегированной подложки. Для доказательства этого были проведены эксперименты по выращиванию слоев на слаболегированные эпитаксиальные слои, служившие подложками. Однако, если провести газовое травление пленки перед наращиванием, переходный слой не образуется ( см. рис. 7, б) и подвижность электронов не меняется за границей раздела слоев.