Современные технологические методы позволяют получить физическую толщину активной базы менее 0 1 мкм. Однако при ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Современные технологические методы позволяют получить физическую толщину активной базы менее 0 1 мкм. Однако при уменьшении толщины активной базы возрастает ее сопротивление и снижается напряжение смыкания эмиттерного и коллекторного р-я-переходов и, следовательно, и мощность. Для уменьшения сопротивления активной базы и повышения напряжения смыкания необходимо увеличивать концентрацию примесей в базе, но при этом возрастают емкости переходов. Реально толщина базы сверхвысокочастотных транзисторов составляет 0 1 - 0 3 мкм.
