Выдержка из книги
Мосс Т.N.
Полупроводниковая оптоэлектроника
На основании формулы (7.33) и в предположении о хаотическом распределении примесей Томас и др. [728, 730, 731] рассчитали серию кривых спада полной интенсивности излучения, причем параметром служила концентрация примесей. Было показано, что при измерении спада люминесценции, следующего за возбуждением коротким импульсом света, величины W ( 0) и Кц можно определить из характерной формы кривых спада Параметры, полученные при исследовании рекомбинации между донорами S и акцепторами Si в GaP, составляют W ( 0) 5 - 105 с - и Rd 1 2 нм.
![На основании формулы (7.33) и в предположении о хаотическом распределении примесей Томас и др. [728, 730, 731] рассчитали серию кривых спада полной интенсивности излучения, причем параметром служила концентрация примесей. Было показано, что при измерении спада люминесценции, следующего за возбуждением коротким импульсом света, величины W ( 0) и Кц можно определить из характерной формы кривых спада Параметры, полученные при исследовании рекомбинации между донорами S и акцепторами Si в GaP, составляют W ( 0) 5 - 105 с - и Rd 1 2 нм.](/pic/0996434qXFPiwh0054372996.png)