Однако возникновение кристаллических дефектов происходит по-разному в зависимости от того, какие ионы - тяжелые или ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Сугайто Т.N. Введение в микроэлектронику


Однако возникновение кристаллических дефектов происходит по-разному в зависимости от того, какие ионы - тяжелые или легкие использовались при имплантации. Как рассматривалось выше, при внедрении легких ионов, например В, способность торможения электронами выше, чем способность торможения ядрами атомов, и образование дефектов происходит на большей глубине. При внедрении тяжелых ионов, например Р, As, способность торможения ядрами увеличивается и образование кристаллических дефектов с высокой плотностью происходит непосредственно в приповерхностном слое подложки. Процесс образования аморфной фазы в приповерхностном слое зависит от массы и количества ионов.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Однако возникновение кристаллических дефектов происходит по-разному в зависимости от того, какие ионы - тяжелые или легкие использовались при имплантации. Как рассматривалось выше, при внедрении легких ионов, например В, способность торможения электронами выше, чем способность торможения ядрами атомов, и образование дефектов происходит на большей глубине. При внедрении тяжелых ионов, например Р, As, способность торможения ядрами увеличивается и образование кристаллических дефектов с высокой плотностью происходит непосредственно в приповерхностном слое подложки. Процесс образования аморфной фазы в приповерхностном слое зависит от массы и количества ионов.