Подобное поведение наблюдалось у CdS [14]; резкость границы поглощения в этом случае была объяснена образованием ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Хилсум К.N.
Полупроводники типа А3 В5
Подобное поведение наблюдалось у CdS [14]; резкость границы поглощения в этом случае была объяснена образованием экситонов и истинными междузонными переходами при немного больших энергиях.
![Подобное поведение наблюдалось у CdS [14]; резкость границы поглощения в этом случае была объяснена образованием экситонов и истинными междузонными переходами при немного больших энергиях.](/pic/1007955nnhVQhL0029200248.png)