Зависимость толщины пленки CdxHgl xfe от температуры выращивания ( d 5 мм, г10 ч.| Зависимость ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Александров Л.И. Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Часть 1


Зависимость толщины пленки CdxHgl xfe от температуры выращивания ( d 5 мм, г10 ч.| Зависимость толщины пленки Cd Hgi Te от расстояния между источником и подложкой ( Г600 С, 10 ч.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Зависимость толщины пленки CdxHgl xfe от температуры выращивания ( d 5 мм,  г10 ч.| Зависимость толщины пленки Cd Hgi Te от расстояния между источником и подложкой ( Г600 С,  10 ч.