Выдержка из книги
Александров Л.И.
Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Часть 1
Зависимость толщины пленки CdxHgl xfe от температуры выращивания ( d 5 мм, г10 ч.| Зависимость толщины пленки Cd Hgi Te от расстояния между источником и подложкой ( Г600 С, 10 ч.