В структурах с барьером Шоттки, у которых диэлектрический слой отсутствует, темновой диодный ток обусловлен в ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Фаренбрух А.N. Солнечные элементы


В структурах с барьером Шоттки, у которых диэлектрический слой отсутствует, темновой диодный ток обусловлен в основном термоэмиссией основных носителей заряда, проходящих над барьером. Наблюдаются также и более слабые эффекты, связанные с туннелированием основных носителей через верхнюю часть барьера и ( или) их рекомбинацией в обедненном слое, которыми в большинстве солнечных элементов можно пренебречь. Кроме того, имеется поток неосновных носителей заряда, инжектируемых из металла в полупроводник, однако он существенно меньше потока основных носителей.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

В структурах с барьером Шоттки,  у которых диэлектрический слой отсутствует,  темновой диодный ток обусловлен в основном термоэмиссией основных носителей заряда,  проходящих над барьером.  Наблюдаются также и более слабые эффекты,  связанные с туннелированием основных носителей через верхнюю часть барьера и ( или) их рекомбинацией в обедненном слое,  которыми в большинстве солнечных элементов можно пренебречь.  Кроме того,  имеется поток неосновных носителей заряда,  инжектируемых из металла в полупроводник,  однако он существенно меньше потока основных носителей.