Обычно длина свободного пробега электрона в полупроводнике значительно меньше толщины электронно-дырочного перехода. Если за время ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Батушев В.А. Электронные приборы


Обычно длина свободного пробега электрона в полупроводнике значительно меньше толщины электронно-дырочного перехода. Если за время свободного пробега электроны успевают набрать достаточную энергию, то возникает ударная ионизация атомов электронами. Поскольку скорость электронов, определяющая их энергию, зависит от напряженности электрического поля: vn inE, для ударной ионизации необходима определенная величина этой напряженности.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Обычно длина свободного пробега электрона в полупроводнике значительно меньше толщины электронно-дырочного перехода. Если за время свободного пробега электроны успевают набрать достаточную энергию, то возникает ударная ионизация атомов электронами. Поскольку скорость электронов, определяющая их энергию, зависит от напряженности электрического поля: vn inE, для ударной ионизации необходима определенная величина этой напряженности.