Переходный процесс включения элементарных структур симистора с инжектирующим УЭ, с отдаленным УЭ и омическим УЭ ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Тугов Н.М. Полупроводниковые приборы


Переходный процесс включения элементарных структур симистора с инжектирующим УЭ, с отдаленным УЭ и омическим УЭ характеризуется тем, что последовательно ( одна за другой) включаются две структуры - сначала управляющая ( вспомогательная), а уже затем током управляющей структуры основная структура тиристора.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Переходный процесс включения элементарных структур симистора с инжектирующим УЭ, с отдаленным УЭ и омическим УЭ характеризуется тем, что последовательно ( одна за другой) включаются две структуры - сначала управляющая ( вспомогательная), а уже затем током управляющей структуры основная структура тиристора.