Выдержка из книги
Кузнецов Ф.А.
Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Ч 2
Так как направление 111 является полярным для теллурида цинка, а электронная конфигурация атомов цинка и теллура, образующих плоскости 111, различна, то исследовалось влияние полярности направления ГГ11 на рост кристаллов теллурида цинка в зависимости от условий роста. На рис. 3 приведена фотография протравленного шлифа из кристалла ZnTe, выращенного вдоль оси контейнера в том месте, где давление паров теллура в процессе роста было резко изменено. Верхняя часть кристалла на рисунке соответствует условию, когда давление паров теллура было вьпне равновесного, а нижняя - условию, когда давление паров теллура было ниже равновесного.