Так как направление 111 является полярным для теллурида цинка, а электронная конфигурация атомов цинка и ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Кузнецов Ф.А. Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Ч 2


Так как направление 111 является полярным для теллурида цинка, а электронная конфигурация атомов цинка и теллура, образующих плоскости 111, различна, то исследовалось влияние полярности направления ГГ11 на рост кристаллов теллурида цинка в зависимости от условий роста. На рис. 3 приведена фотография протравленного шлифа из кристалла ZnTe, выращенного вдоль оси контейнера в том месте, где давление паров теллура в процессе роста было резко изменено. Верхняя часть кристалла на рисунке соответствует условию, когда давление паров теллура было вьпне равновесного, а нижняя - условию, когда давление паров теллура было ниже равновесного.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Так как направление 111 является полярным для теллурида цинка,  а электронная конфигурация атомов цинка и теллура,  образующих плоскости 111,  различна,  то исследовалось влияние полярности направления ГГ11 на рост кристаллов теллурида цинка в зависимости от условий роста.  На рис. 3 приведена фотография протравленного шлифа из кристалла ZnTe,  выращенного вдоль оси контейнера в том месте,  где давление паров теллура в процессе роста было резко изменено.  Верхняя часть кристалла на рисунке соответствует условию,  когда давление паров теллура было вьпне равновесного,  а нижняя  -  условию,  когда давление паров теллура было ниже равновесного.