Все эти результаты измерений распределения концентрации по сечениям xOz и хОу качественно подтверждают эллипсоидальную симметрию ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Рывкин С.М.
Фотоэлектрические явления в полупроводниках
Все эти результаты измерений распределения концентрации по сечениям xOz и хОу качественно подтверждают эллипсоидальную симметрию распределения концентрации инъек-тированных носителей в полупроводнике и представление о том, что действие магнитного поля на диффундирующие носители сводится к искривлению их макротраекторий. Однако количественное сравнение этих результатов с теорией оказывается затруднительным. Но необходимо иметь в виду, что исследование сечений эллипсоида на образцах, имеющих форму пластинок, может дать лишь качественную картину явления, так как условия растекания носителей будут отличны от условий растекания в бесконечном полупроводнике. В таких опытах неизбежно влияние ограничивающих плоскостей образца на величины измеряемых токов. При наличии большой поверхностной рекомбинации носители, отклоняющиеся к поверхности пластинки, быстрее рекомбинируют и концентрация их уменьшается с расстоянием от точк инъекции быстрее, чем она уменьшалась бы в неограниченном образце. Влияние поверхности не исключается и в том случае, когда скорость поверхностной рекомбинации равна нулю, так как будет происходить отражение носителей от ограничивающих плоскостей.