Все эти результаты измерений распределения концентрации по сечениям xOz и хОу качественно подтверждают эллипсоидальную симметрию ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках


Все эти результаты измерений распределения концентрации по сечениям xOz и хОу качественно подтверждают эллипсоидальную симметрию распределения концентрации инъек-тированных носителей в полупроводнике и представление о том, что действие магнитного поля на диффундирующие носители сводится к искривлению их макротраекторий. Однако количественное сравнение этих результатов с теорией оказывается затруднительным. Но необходимо иметь в виду, что исследование сечений эллипсоида на образцах, имеющих форму пластинок, может дать лишь качественную картину явления, так как условия растекания носителей будут отличны от условий растекания в бесконечном полупроводнике. В таких опытах неизбежно влияние ограничивающих плоскостей образца на величины измеряемых токов. При наличии большой поверхностной рекомбинации носители, отклоняющиеся к поверхности пластинки, быстрее рекомбинируют и концентрация их уменьшается с расстоянием от точк инъекции быстрее, чем она уменьшалась бы в неограниченном образце. Влияние поверхности не исключается и в том случае, когда скорость поверхностной рекомбинации равна нулю, так как будет происходить отражение носителей от ограничивающих плоскостей.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Все эти результаты измерений распределения концентрации по сечениям xOz и хОу качественно подтверждают эллипсоидальную симметрию распределения концентрации инъек-тированных носителей в полупроводнике и представление о том, что действие магнитного поля на диффундирующие носители сводится к искривлению их макротраекторий. Однако количественное сравнение этих результатов с теорией оказывается затруднительным. Но необходимо иметь в виду, что исследование сечений эллипсоида на образцах, имеющих форму пластинок, может дать лишь качественную картину явления, так как условия растекания носителей будут отличны от условий растекания в бесконечном полупроводнике. В таких опытах неизбежно влияние ограничивающих плоскостей образца на величины измеряемых токов. При наличии большой поверхностной рекомбинации носители, отклоняющиеся к поверхности пластинки, быстрее рекомбинируют и концентрация их уменьшается с расстоянием от точк инъекции быстрее, чем она уменьшалась бы в неограниченном образце. Влияние поверхности не исключается и в том случае, когда скорость поверхностной рекомбинации равна нулю, так как будет происходить отражение носителей от ограничивающих плоскостей.