Для УТ 90 и 65 нм проблема утонения диффузионного барьера усложняется использованием высокопористых диэлектриков с ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Киреев В.Ю.
Мир электроники технологии микроэлектроники Химическое осаждение из газовой фазы
Для УТ 90 и 65 нм проблема утонения диффузионного барьера усложняется использованием высокопористых диэлектриков с НДП и УНДП ( low k dielectrics и ultra low k dielectrics), имеющих развитую ( шершавую) поверхность боковых стенок топологического рельефа. По данным работы [49] диффузионный барьер в 30 нм поглощает для УТ 90 нм 15 %, а для УТ 65 нм 38 % площади поперечного сечения медных шин и, таким образом, повышает их сопротивление выше допустимого уровня.