Для УТ 90 и 65 нм проблема утонения диффузионного барьера усложняется использованием высокопористых диэлектриков с ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Киреев В.Ю. Мир электроники технологии микроэлектроники Химическое осаждение из газовой фазы


Для УТ 90 и 65 нм проблема утонения диффузионного барьера усложняется использованием высокопористых диэлектриков с НДП и УНДП ( low k dielectrics и ultra low k dielectrics), имеющих развитую ( шершавую) поверхность боковых стенок топологического рельефа. По данным работы [49] диффузионный барьер в 30 нм поглощает для УТ 90 нм 15 %, а для УТ 65 нм 38 % площади поперечного сечения медных шин и, таким образом, повышает их сопротивление выше допустимого уровня.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Для УТ 90 и 65 нм проблема утонения диффузионного барьера усложняется использованием высокопористых диэлектриков с НДП и УНДП ( low k dielectrics и ultra low k dielectrics),  имеющих развитую ( шершавую) поверхность боковых стенок топологического рельефа.  По данным работы [49] диффузионный барьер в 30 нм поглощает для УТ 90 нм 15 %,  а для УТ 65 нм 38 % площади поперечного сечения медных шин и,  таким образом,  повышает их сопротивление выше допустимого уровня.