В отличие от легирования электрически активными упрочняющими примесями введение изовалентных примесей не только не создает ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов


В отличие от легирования электрически активными упрочняющими примесями введение изовалентных примесей не только не создает микродефектов, а, наоборот, подавляет возникновение их в монокристаллах полупроводниковых соединений. Одновременно подавляется возникновение вакансий летучего компонента в решетке соединения, место которых занимают атомы изовалентной примеси. Легирование полупроводниковых соединений изовалентными примесями позволяет также управлять периодом решетки монокристалла, изменяющимся при введении в него повышенной концентрации электрически активной легирующей примеси. По длине монокристалла плотность дислокаций, как правило, возрастает от его начала к концу, что является результатом проникновения дислокаций из высокотемпературной области их генерации к фронту кристаллизации. Однако если в процессе роста монокристалла температура боковой его поверхности возрастает, что имеет место, например, при опускании фронта кристаллизации в глубь тигля по мере уменьшения объема расплава в нем, то плотность дислокаций к концу монокристалла может уменьшиться.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

В отличие от легирования электрически активными упрочняющими примесями введение изовалентных примесей не только не создает микродефектов, а, наоборот, подавляет возникновение их в монокристаллах полупроводниковых соединений. Одновременно подавляется возникновение вакансий летучего компонента в решетке соединения, место которых занимают атомы изовалентной примеси. Легирование полупроводниковых соединений изовалентными примесями позволяет также управлять периодом решетки монокристалла, изменяющимся при введении в него повышенной концентрации электрически активной легирующей примеси. По длине монокристалла плотность дислокаций, как правило, возрастает от его начала к концу, что является результатом проникновения дислокаций из высокотемпературной области их генерации к фронту кристаллизации. Однако если в процессе роста монокристалла температура боковой его поверхности возрастает, что имеет место, например, при опускании фронта кристаллизации в глубь тигля по мере уменьшения объема расплава в нем, то плотность дислокаций к концу монокристалла может уменьшиться.