Такое приблизительно равномерное распределение изотопов создает достаточно большой изотопический беспорядок в галлиевой подрешетке кристаллов GaAs, ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Баранов В.Ю. Изотопы Свойства, получение, применение Том 2


Такое приблизительно равномерное распределение изотопов создает достаточно большой изотопический беспорядок в галлиевой подрешетке кристаллов GaAs, приготовленных из природного галлия. Было найдено, что при температурах выше максимума теплопроводности теплопроводность моноизотопного 71GaAs с обогащением по изотопу 71Ga до 99 40 0 03 ат. Теоретические оценки показывают, что скорость рассеяния фононов на изотопах в обогащенном 71GaAs почти в 40 раз меньше, чем в природном кристалле. Наблюдаемое увеличение на 5 % теплопроводности в моноизотопном 71GaAs при комнатной температуре свидетельствует о небольшом вкладе рассеяния фононов на изотопах по сравнению с ангармоническими фонон-фононными процессами рассеяния.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Такое приблизительно равномерное распределение изотопов создает достаточно большой изотопический беспорядок в галлиевой подрешетке кристаллов GaAs, приготовленных из природного галлия. Было найдено, что при температурах выше максимума теплопроводности теплопроводность моноизотопного 71GaAs с обогащением по изотопу 71Ga до 99 40 0 03 ат. Теоретические оценки показывают, что скорость рассеяния фононов на изотопах в обогащенном 71GaAs почти в 40 раз меньше, чем в природном кристалле. Наблюдаемое увеличение на 5 % теплопроводности в моноизотопном 71GaAs при комнатной температуре свидетельствует о небольшом вкладе рассеяния фононов на изотопах по сравнению с ангармоническими фонон-фононными процессами рассеяния.