Выдержка из книги
Миловзоров В.П.
Электромагнитные устройства автоматики
При ионной бомбардировке поверхности магнитноодноосной пленки в слое А / г, примыкающем к этой поверхности ( рис. 15.37, а), возникают нарушения ( имплантации) кристаллической решетки в виде смещений атомов, которые стремятся вызвать локальное расширение решетки в области ионно-имплантированного ( ИИ) слоя. Так как ненарушенный слой кристаллической пленки удерживает значительно более тонкий приповерхностный слой от расширения в параллельных ей направлениях, ИИ-слой находится в состоянии плоскостного сжатия, которое в феррит-гранатах с отрицательной магнитострикцией вызывает появление плоскостной магнитной анизотропии. При этом направление намагниченности Js ИИ-слоя отклоняется от оси г на угол б, образуя составляющую J, лежащую в плоскости этого слоя, которая и определяет его свойства. Угол ср определяется направлением и величиной вектора Яу и изменяется при вращении Ну, причем в общем случае между векторами / и Ну существует сдвиг Дер.
