Носители, инжектированные при прямом смещении, туннелируют в межкристаллитные области через слои обеднения, образующиеся в местах ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Фаренбрух А.N.
Солнечные элементы
Носители, инжектированные при прямом смещении, туннелируют в межкристаллитные области через слои обеднения, образующиеся в местах пересечения границ зерен и p - n - переходов. Распределение концентрации носителей заряда в этих областях ( заштрихованы на рис. 3.19 в) с трудом поддается расчету. Впервые эту проблему обсуждал еще Шокли [ Shockley, 1949 ], однако полного решения задачи им не было дано.
![Носители, инжектированные при прямом смещении, туннелируют в межкристаллитные области через слои обеднения, образующиеся в местах пересечения границ зерен и p - n - переходов. Распределение концентрации носителей заряда в этих областях ( заштрихованы на рис. 3.19 в) с трудом поддается расчету. Впервые эту проблему обсуждал еще Шокли [ Shockley, 1949 ], однако полного решения задачи им не было дано.](/pic/1178950zfI7X2f0026372305.png)