Носители, инжектированные при прямом смещении, туннелируют в межкристаллитные области через слои обеднения, образующиеся в местах ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Фаренбрух А.N. Солнечные элементы


Носители, инжектированные при прямом смещении, туннелируют в межкристаллитные области через слои обеднения, образующиеся в местах пересечения границ зерен и p - n - переходов. Распределение концентрации носителей заряда в этих областях ( заштрихованы на рис. 3.19 в) с трудом поддается расчету. Впервые эту проблему обсуждал еще Шокли [ Shockley, 1949 ], однако полного решения задачи им не было дано.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Носители,  инжектированные при прямом смещении,  туннелируют в межкристаллитные области через слои обеднения,  образующиеся в местах пересечения границ зерен и p - n - переходов.  Распределение концентрации носителей заряда в этих областях ( заштрихованы на рис. 3.19 в) с трудом поддается расчету.  Впервые эту проблему обсуждал еще Шокли [ Shockley,  1949 ],  однако полного решения задачи им не было дано.