Выдержка из книги
Родо М.N.
Полупроводниковые материалы
Изменение фронта поглощения в сильно примесном Ge ( a. проникновение. уровня Ферми в зону проводимости и укорачивание Д ширины прямой зоны ( 000 и непрямой ( 111 ( значения п следует умножить на 1018 ( б.