Следует подчеркнуть, что качественное согласие теоретических и экспериментальных значений Sg для разных ps можно получить ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Литовченко В.Г. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник


Следует подчеркнуть, что качественное согласие теоретических и экспериментальных значений Sg для разных ps можно получить лишь в предположении, что как дифференциальная плотность поверхностных состояний, так и поперечные селения захвата электронов этими состояниями возрастают в кремнии n - типа при приближении к потолку валентной зоны. Это обусловлено постепенной сменой глубоких генерационно-актив-ных поверхностных центров более мелкими по мере увеличения концентрации неосновных носителей вблизи поверхности.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Следует подчеркнуть, что качественное согласие теоретических и экспериментальных значений Sg для разных ps можно получить лишь в предположении, что как дифференциальная плотность поверхностных состояний, так и поперечные селения захвата электронов этими состояниями возрастают в кремнии n - типа при приближении к потолку валентной зоны. Это обусловлено постепенной сменой глубоких генерационно-актив-ных поверхностных центров более мелкими по мере увеличения концентрации неосновных носителей вблизи поверхности.