С позиций квантовой механики интенсивность полосы поглощения зависит от перераспределения заряда, вызванного переходом валентного электрона ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Венкатарман К.N. Химия синтетических красителей


С позиций квантовой механики интенсивность полосы поглощения зависит от перераспределения заряда, вызванного переходом валентного электрона с высшей занятой орбитали на низший незанятый уровень. Распределение заряда возбуждаемого электрона на двух орбиталях различно. Поглощение света приводит к перераспределению электронной плотности между центрами атомов, которому соответствует момент перехода в молекуле. Наиболее интенсивные абсорбционные полосы связаны с электрическим дипольным моментом перехода, вызванным линейным смещением заряда в процессе поглощения.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

С позиций квантовой механики интенсивность полосы поглощения зависит от перераспределения заряда, вызванного переходом валентного электрона с высшей занятой орбитали на низший незанятый уровень. Распределение заряда возбуждаемого электрона на двух орбиталях различно. Поглощение света приводит к перераспределению электронной плотности между центрами атомов, которому соответствует момент перехода в молекуле. Наиболее интенсивные абсорбционные полосы связаны с электрическим дипольным моментом перехода, вызванным линейным смещением заряда в процессе поглощения.