Концентрацию примеси в эпитаксиальной пленке можно измерить с помощью четырехзондового метода, если подложка и пленка ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Курносов А.И. Полупроводниковая микроэлектроника


Концентрацию примеси в эпитаксиальной пленке можно измерить с помощью четырехзондового метода, если подложка и пленка имеют различные типы проводимости. Однако измерение сопротивления в эпитаксиальных пленках кремния, полученных на низкоомных подложках другого типа проводимости, четырех-зондовым методом должно производиться при не очень больших токах. При малых токах сопротивление эпитаксиальной пленки не имеет токовой зависимости, затем следует пик, выраженный тем сильнее, чем больше удельное сопротивление, и, наконец, про.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Концентрацию примеси в эпитаксиальной пленке можно измерить с помощью четырехзондового метода, если подложка и пленка имеют различные типы проводимости. Однако измерение сопротивления в эпитаксиальных пленках кремния, полученных на низкоомных подложках другого типа проводимости, четырех-зондовым методом должно производиться при не очень больших токах. При малых токах сопротивление эпитаксиальной пленки не имеет токовой зависимости, затем следует пик, выраженный тем сильнее, чем больше удельное сопротивление, и, наконец, про.