Другой подход к явлению комбинационного рассеяния основан на малости возмущения электронной подсистемы кристалла электромагнитным полем ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Сущинский М.М. Физика и техника спектрального анализа


Другой подход к явлению комбинационного рассеяния основан на малости возмущения электронной подсистемы кристалла электромагнитным полем излучения. Непосредственное взаимодействие света с колебаниями ядер вообще не учитывается вследствие большой массы ядер. Однако предполагается, что колебания решетки могут взаимодействовать со светом косвенно, через электронную подсистему. Решение задачи о комбинационном рассеянии света в указанных предположениях подробно рассмотрено в гл.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Другой подход к явлению комбинационного рассеяния основан на малости возмущения электронной подсистемы кристалла электромагнитным полем излучения.  Непосредственное взаимодействие света с колебаниями ядер вообще не учитывается вследствие большой массы ядер.  Однако предполагается,  что колебания решетки могут взаимодействовать со светом косвенно,  через электронную подсистему.  Решение задачи о комбинационном рассеянии света в указанных предположениях подробно рассмотрено в гл.