Для экспериментальных исследований четверки диодов Шоттки предварительно отбирались по следующим параметрам: разброс емкостей диодов, измеренных ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Гвоздев В.И. Объемные интегральные схемы свч


Для экспериментальных исследований четверки диодов Шоттки предварительно отбирались по следующим параметрам: разброс емкостей диодов, измеренных на частоте 50 МГц, не превышал 0 05 пФ, а разброс прямых падений напряжения при смещении постоянным током 1 мА был не более 0 03 В.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Для экспериментальных исследований четверки диодов Шоттки предварительно отбирались по следующим параметрам:  разброс емкостей диодов,  измеренных на частоте 50 МГц,  не превышал 0 05 пФ,  а разброс прямых падений напряжения при смещении постоянным током 1 мА был не более 0 03 В.