Распределение концентрации примесей зависит от технологии формирования рассматриваемой области кристалла. При эпитаксии примеси распределяются равномерно. - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Агаханян Т.М.
Интегральные микросхемы
Распределение концентрации примесей зависит от технологии формирования рассматриваемой области кристалла. При эпитаксии примеси распределяются равномерно.
