После добавления 10 - 4 г СиХ Хг - 1 ZnS и отжига в интервале ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Гурвич А.М. Введение в физическую химию кристаллофосфоров


После добавления 10 - 4 г СиХ Хг - 1 ZnS и отжига в интервале от 400 до 600 С с последующим медленным охлаждением возникает интенсивное синее свечение ( имакс 450 нм), а выше 600 С начинается образование центров зеленей люминесценции. Последняя преобладает при температурах, превышающих 700 С. Эти явления связаны с тем, что ниже температуры разрыхления решетки, которая в данном случае составляет около 700 С, диффузия меди происходит преимущественно по дислокациям, приводя к образованию синих центров, расположенных в области линейных и поверхностных дефектов, тогда как при более высоких температурах медь получает возможность проникновения в глубь регулярной решетки, в результате чего возникают зеленые центры. Это согласуется с выводами, которые были сделаны на основе изучения кинетики взаимного превращения синих и зеленых центров свечения ( см. гл.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

После добавления 10 - 4 г СиХ Хг - 1 ZnS и отжига в интервале от 400 до 600 С с последующим медленным охлаждением возникает интенсивное синее свечение ( имакс 450 нм),  а выше 600 С начинается образование центров зеленей люминесценции.  Последняя преобладает при температурах,  превышающих 700 С.  Эти явления связаны с тем,  что ниже температуры разрыхления решетки,  которая в данном случае составляет около 700 С,  диффузия меди происходит преимущественно по дислокациям,  приводя к образованию синих центров,  расположенных в области линейных и поверхностных дефектов,  тогда как при более высоких температурах медь получает возможность проникновения в глубь регулярной решетки,  в результате чего возникают зеленые центры.  Это согласуется с выводами,  которые были сделаны на основе изучения кинетики взаимного превращения синих и зеленых центров свечения ( см. гл.