Вблизи р-л-перехода происходит рекомбинация - электроны занимают дырки. Вследствие этого в пограничном слое количество свободных ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Пруслин З.М. Радиоэлектроника


Вблизи р-л-перехода происходит рекомбинация - электроны занимают дырки. Вследствие этого в пограничном слое количество свободных носителей заряда резко уменьшается, что увеличивает сопротивление пограничных слоев лир полупроводников. Область повышенного сопротивления называется запирающим слоем.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Вблизи р-л-перехода происходит рекомбинация  -  электроны занимают дырки.  Вследствие этого в пограничном слое количество свободных носителей заряда резко уменьшается,  что увеличивает сопротивление пограничных слоев лир полупроводников.  Область повышенного сопротивления называется запирающим слоем.