Вблизи р-л-перехода происходит рекомбинация - электроны занимают дырки. Вследствие этого в пограничном слое количество свободных ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Вблизи р-л-перехода происходит рекомбинация - электроны занимают дырки. Вследствие этого в пограничном слое количество свободных носителей заряда резко уменьшается, что увеличивает сопротивление пограничных слоев лир полупроводников. Область повышенного сопротивления называется запирающим слоем.