К - длина волны, мкм) затрачивается в собственном полупроводнике на образование электронно-дырочных пар за счет ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Богородицкий Н.П. Электротехнические материалы


К - длина волны, мкм) затрачивается в собственном полупроводнике на образование электронно-дырочных пар за счет переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости. Для этого, экстраполировав круто падающий участок кривой до пересечения с осью абсцисс, находят граничную длину волны р и энергию квантов, обусловливающую начало фотопроводимости. Так как запреа енная зона различных полупроводниковых веществ имеет ширину от десятых долей электрон-вольта до 3 эВ, то фотопроводимость может обнаруживаться в инфракрасной, видимой или ультрафиолетовой части электромагнитного спектра. Фотопроводимость при волнах короче 1 8 мкм определяется переходом электронов с более низких уровней валентной зоны на более высокие уровни зоны проводимости. На кривой рис. 8 - 7 показан тепловой хвост, тянущийся до 1 9 - 2 мкм.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

К - длина волны, мкм) затрачивается в собственном полупроводнике на образование электронно-дырочных пар за счет переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости. Для этого, экстраполировав круто падающий участок кривой до пересечения с осью абсцисс, находят граничную длину волны р и энергию квантов, обусловливающую начало фотопроводимости. Так как запреа енная зона различных полупроводниковых веществ имеет ширину от десятых долей электрон-вольта до 3 эВ, то фотопроводимость может обнаруживаться в инфракрасной, видимой или ультрафиолетовой части электромагнитного спектра. Фотопроводимость при волнах короче 1 8 мкм определяется переходом электронов с более низких уровней валентной зоны на более высокие уровни зоны проводимости. На кривой рис. 8 - 7 показан тепловой хвост, тянущийся до 1 9 - 2 мкм.