После адсорбции кислорода на чистую поверхность ( или после образования первого слоя моноокиси травителем) наблюдается ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Литовченко В.Г. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник


После адсорбции кислорода на чистую поверхность ( или после образования первого слоя моноокиси травителем) наблюдается натяжение решетки полупроводника в поверхностной области. Натянутые связи ( Si-Si) 0 химически более активны, так как часть их валентностей не заполнена, точнее, скомпенсирована более слабыми и менее симметричными поверхностными связями [ НО, гл. Взаимодействие натянутых связей с кислородом приводит к отрыву атома вещества от решетки и образованию единичного окисла. Наличие различных ослабляющих поверхностные связи факторов ( примесных атомов, структурных дефектов, атомных ступенек и др.) ослабляет связи ( Si-Si) 0, что также увеличивает скорость окисления. Если натяжения ослабить ( например, бомбардировкой Аг при комнатной или более высоких температурах [226]), то скорость образования окисно.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

После адсорбции кислорода на чистую поверхность ( или после образования первого слоя моноокиси травителем) наблюдается натяжение решетки полупроводника в поверхностной области. Натянутые связи ( Si-Si) 0 химически более активны, так как часть их валентностей не заполнена, точнее, скомпенсирована более слабыми и менее симметричными поверхностными связями [ НО, гл. Взаимодействие натянутых связей с кислородом приводит к отрыву атома вещества от решетки и образованию единичного окисла. Наличие различных ослабляющих поверхностные связи факторов ( примесных атомов, структурных дефектов, атомных ступенек и др.) ослабляет связи ( Si-Si) 0, что также увеличивает скорость окисления. Если натяжения ослабить ( например, бомбардировкой Аг при комнатной или более высоких температурах [226]), то скорость образования окисно.