Выдержка из книги
Хамакава И.N.
Аморфные полупроводники и приборы на их основе
Описаны различные методы получения мк - Si: Н и принцип выбора оптимальных условий. Основное внимание уделено методу разложения в тлеющем разряде разбавленной силано-вой газовой смеси. Показано, что общей тенденцией изменения структуры пленок Si: Н, полученных разложением разбавленных газовых смесей на основе SiH4 в мощном высокочастотном тлеющем разряде, является их кристаллизация. Эта тенденция усиливается при осаждении легированных пленок. Структура осажденных пленок мк - Si: Н является смешанной - двухфазной и состоит из микрокристаллитов, растворенных в аморфной сетке. Объемная доля ( 50 - 100 %) и размер ( 60 - 200 А) микрокристаллитов, зависят от условий осаждения. Концентрация связанного водорода в нелегированных пленках мк - Si: Н не превышает 10 %, в то время как в легированных образцах она достаточно велика. В частности, можно получить пленки мк - Si: Н легированные фосфором и бором с большой оптической шириной запрещенной зоны. Оптические и электрические свойства мк - Si: Н обсуждаются во взаимосвязи со структурными свойствами. На основе всех имеющихся экспериментальных данных, включая и результаты исследования фотолюминесценции ( ФЛ), предложена модель структуры мк - Si: Н, согласно которой мк - Si состоит из трех фаз: аморфной люминесцентной, аморфной нелюминесцентной, микрокристаллической.
