Выдержка из книги
Иоффе А.Ф.
Физика полупроводников
Такая зависимость с от толщины слоя полупроводника и от угла падения электронов доказывает, что образование вторичных электронов происходит в толще полупроводника; эффективным оказывается поверхностный слой толщиной в несколько десятков длин свободного пробега. Невидимому, вырываемые на этой глубине электроны получают значительную кинетическую энергию, которую постепенно теряют при ряде последовательных столкновений с тепловыми флуктуациями решетки или с другими неоднородностямп.
