Образование сильнолокализованного экситона ( включающего решеточные фононы) облегчается, если по какой-то причине скорость переноса полностью ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Поуп М.N. Электронные процессы в органических кристаллах Т1


Образование сильнолокализованного экситона ( включающего решеточные фононы) облегчается, если по какой-то причине скорость переноса полностью делокализованного ( голого) экситона может быть уменьшена, как при внутримолекулярной релаксации. В антрацене этого не происходит, поэтому в этом кристалле нет локализации. Однако в некоторых кристаллах, в которых могут образовываться эксимеры, возникают условия для самозахвата. Основные положения теории этого процесса даются КреЙгом и др. [776], которые рассматривают образование эксимера как частный случай внутримолекулярной релаксации. Время жизни эксимера достаточно велико для того, чтобы успела произойти локальная решеточная релаксация; эксимер может стать либо полностью захваченным, либо может переходить на ближайшие узлы.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Образование сильнолокализованного экситона ( включающего решеточные фононы) облегчается, если по какой-то причине скорость переноса полностью делокализованного ( голого) экситона может быть уменьшена, как при внутримолекулярной релаксации. В антрацене этого не происходит, поэтому в этом кристалле нет локализации. Однако в некоторых кристаллах, в которых могут образовываться эксимеры, возникают условия для самозахвата. Основные положения теории этого процесса даются КреЙгом и др. [776], которые рассматривают образование эксимера как частный случай внутримолекулярной релаксации. Время жизни эксимера достаточно велико для того, чтобы успела произойти локальная решеточная релаксация; эксимер может стать либо полностью захваченным, либо может переходить на ближайшие узлы.