В полупроводниках поглощение связано с взаимодействием поля волны с основными четырьмя типами зарядов: 1 - ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Кухаркин Е.С. Основы технической электродинамики Часть1


В полупроводниках поглощение связано с взаимодействием поля волны с основными четырьмя типами зарядов: 1 - электронами внутренних оболочек атома, 2 - свободными носителями, 3 - электронами на локальных примесных центрах или дефектах, 4 - электронами валентной зоны.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

В полупроводниках поглощение связано с взаимодействием поля волны с основными четырьмя типами зарядов:  1  -  электронами внутренних оболочек атома,  2  -  свободными носителями,  3  -  электронами на локальных примесных центрах или дефектах,  4  -  электронами валентной зоны.