В ИОУ повышение входного сопротивления достигается двумя способами. Первый из них связан с применением биполярных ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Агаханян Т.М. Интегральные микросхемы


В ИОУ повышение входного сопротивления достигается двумя способами. Первый из них связан с применением биполярных транзисторов со сверхвысоким коэффициентом передачи тока базы в микроамперном диапазоне токов. Включив такие транзисторы во входной каскад усилителя и установив малые токи эмиттера, можно обеспечить высокое входное сопротивление за счет сверхвысокого р и большого сопротивления эмиттерного перехода гэ. Второй способ заключается в использовании полевых транзисторов во входном каскаде ИОУ.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

В ИОУ повышение входного сопротивления достигается двумя способами.  Первый из них связан с применением биполярных транзисторов со сверхвысоким коэффициентом передачи тока базы в микроамперном диапазоне токов.  Включив такие транзисторы во входной каскад усилителя и установив малые токи эмиттера,  можно обеспечить высокое входное сопротивление за счет сверхвысокого р и большого сопротивления эмиттерного перехода гэ.  Второй способ заключается в использовании полевых транзисторов во входном каскаде ИОУ.