Выдержка из книги
Палатник Л.С.
Эпитаксиальные пленки
Однако при изготовлении легированных диодов с большим обратным напряжением пробоя ( свыше 120 - 150 в) для получения чистых высокоомных слоев, а также для многослойных структур необходимы резкие переходы со скачкообразным изменением концентрации носителей на границе.
