Выдержка из книги
Черняев В.Н.
Технология производства интегральных микросхем
В принципе одни и те же режимы двойной диффузии могут быть использованы при изготовлении приборов в массивных кремниевых пластинах и эпитаксиальных пленках и кремниевых пленках на изолирующих подложках. Высокоомная часть прибора может иметь проводимость п - и р-типа. В числе возможных технологических методов для обеспечения самосовмещения могут быть использованы ионное легирование, кремниевые затворы или структуры металл-нитрид - окисел - полупроводник.
