Вертикальные переходы, запрещенные при k 0, имеют место между тремя валентными зонами в Ge и ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Мосс Т.N. Полупроводниковая оптоэлектроника


Вертикальные переходы, запрещенные при k 0, имеют место между тремя валентными зонами в Ge и других полупроводниках, обладающих структурой цинковой обманки. Наблюдаемые кривые поглощения находятся в хорошем согласии с теорией Кейна [356] при условии, что учтено распределение дырок по этим зонам. Поскольку распределение дырок влияет на форму пиков поглощения, последняя меняется при изменении температуры. В вырожденном материале / 7-типа пики поглощения смещаются при изменении концентрации носителей ( разд.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Вертикальные переходы, запрещенные при k 0, имеют место между тремя валентными зонами в Ge и других полупроводниках, обладающих структурой цинковой обманки. Наблюдаемые кривые поглощения находятся в хорошем согласии с теорией Кейна [356] при условии, что учтено распределение дырок по этим зонам. Поскольку распределение дырок влияет на форму пиков поглощения, последняя меняется при изменении температуры. В вырожденном материале / 7-типа пики поглощения смещаются при изменении концентрации носителей ( разд.