Равномерное движение носителя через кристалл может быть прервано несколькими путями. Так, например, любые нерегулярности структуры ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Поуп М.N.
Электронные процессы в органических кристаллах Т1
Равномерное движение носителя через кристалл может быть прервано несколькими путями. Так, например, любые нерегулярности структуры кристалла, обусловленные образованием вакансий, дислокаций, границ раздела зерен и т.п., приведут к рассеянию носителя и изменению его импульса. Кроме того, носители могут быть рассеяны на динамических искажениях решетки, вызванных температурными воздействиями, - это рассеяние носителя на фононах решетки. Рассеяние носителя на тепловых колебаниях схематично иллюстрирует рис. 2.6.1, фонон изображен на нем в виде пика на энергетической поверхности, который движущийся электрон не в состоянии преодолеть. Во взаимодействиях между фононом и носителем могут участвовать как акустические, так и оптические фононы. Каждый акт рассеяния может рассматриваться как процесс первого порядка, т.е. как одно-фононный процесс, или как процесс более высокого порядка, если в нем одновременно участвуют несколько фононов. Избыточные заряды могут также рассеиваться на инородных примесях, как заряженных, так и нейтральных. Учесть все эти процессы очень трудно. Поэтому в большинстве теоретических работ рассматривается какой-либо один из вышеперечисленных процессов, а остальными пренебрегают.