Равномерное движение носителя через кристалл может быть прервано несколькими путями. Так, например, любые нерегулярности структуры ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Поуп М.N. Электронные процессы в органических кристаллах Т1


Равномерное движение носителя через кристалл может быть прервано несколькими путями. Так, например, любые нерегулярности структуры кристалла, обусловленные образованием вакансий, дислокаций, границ раздела зерен и т.п., приведут к рассеянию носителя и изменению его импульса. Кроме того, носители могут быть рассеяны на динамических искажениях решетки, вызванных температурными воздействиями, - это рассеяние носителя на фононах решетки. Рассеяние носителя на тепловых колебаниях схематично иллюстрирует рис. 2.6.1, фонон изображен на нем в виде пика на энергетической поверхности, который движущийся электрон не в состоянии преодолеть. Во взаимодействиях между фононом и носителем могут участвовать как акустические, так и оптические фононы. Каждый акт рассеяния может рассматриваться как процесс первого порядка, т.е. как одно-фононный процесс, или как процесс более высокого порядка, если в нем одновременно участвуют несколько фононов. Избыточные заряды могут также рассеиваться на инородных примесях, как заряженных, так и нейтральных. Учесть все эти процессы очень трудно. Поэтому в большинстве теоретических работ рассматривается какой-либо один из вышеперечисленных процессов, а остальными пренебрегают.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Равномерное движение носителя через кристалл может быть прервано несколькими путями.  Так,  например,  любые нерегулярности структуры кристалла,  обусловленные образованием вакансий,  дислокаций,  границ раздела зерен и т.п.,  приведут к рассеянию носителя и изменению его импульса.  Кроме того,  носители могут быть рассеяны на динамических искажениях решетки,  вызванных температурными воздействиями,  - это рассеяние носителя на фононах решетки.  Рассеяние носителя на тепловых колебаниях схематично иллюстрирует рис. 2.6.1,  фонон изображен на нем в виде пика на энергетической поверхности,  который движущийся электрон не в состоянии преодолеть.  Во взаимодействиях между фононом и носителем могут участвовать как акустические,  так и оптические фононы.  Каждый акт рассеяния может рассматриваться как процесс первого порядка,  т.е. как одно-фононный процесс,  или как процесс более высокого порядка,  если в нем одновременно участвуют несколько фононов.  Избыточные заряды могут также рассеиваться на инородных примесях,  как заряженных,  так и нейтральных.  Учесть все эти процессы очень трудно.  Поэтому в большинстве теоретических работ рассматривается какой-либо один из вышеперечисленных процессов,  а остальными пренебрегают.