Если распределение концентрации носителей заряда по толщине слоя известно, то полную концентрацию определяют путем интегрирования ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов


Если распределение концентрации носителей заряда по толщине слоя известно, то полную концентрацию определяют путем интегрирования профиля по всей толщине образца. Вследствие неполной ионизации примесей при их высокой концентрации количество носителей заряда в слое может быть меньше количества внедренных примесей. На рис. 2.11 приведены зависимости холловской подвижности электронов и дырок в кремнии от их концентрации; сплошными линиями представлены зависимости для некомпенсированного однородного материала, пунктиром - для ион-но-легированных слоев.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Если распределение концентрации носителей заряда по толщине слоя известно, то полную концентрацию определяют путем интегрирования профиля по всей толщине образца. Вследствие неполной ионизации примесей при их высокой концентрации количество носителей заряда в слое может быть меньше количества внедренных примесей. На рис. 2.11 приведены зависимости холловской подвижности электронов и дырок в кремнии от их концентрации; сплошными линиями представлены зависимости для некомпенсированного однородного материала, пунктиром - для ион-но-легированных слоев.