Одной из основных и наиболее сложных задач, возникающих при проектировании кристаллизационного оборудования, является задача расчета ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Понаморенко В.Г. Кристаллизация в псевдоожиженном слое


Одной из основных и наиболее сложных задач, возникающих при проектировании кристаллизационного оборудования, является задача расчета основных конструктивных размеров промышленных кристаллизаторов. Сложность этой задачи, особенно при расчете кристаллизаторов с псевдоожиженным слоем, обусловлена тем, что, несмотря на перспективность распространения аппаратов данного типа в химической и других отраслях промышленности, до настояшего времени не разработан надежный инженерный метод их расчета, который позволил бы рассчитать промышленный кристаллизатор с псевдоожиженным слоем, обеспечивающий заданные производительность и качество получаемого продукта при минимальных затратах. Если на основании широко известных уравнений материального и теплового баланса все же удается определить производительность кристаллизатора по кристаллическому продукту и основные конструктивные параметру узла создания пересыщения ( теплообменника для охладительных и испаритшш для вакуумных кристаллизаторов), то задача определения конструктивных параметров одного из основных узлов установки - кристаллорастителя, в котором происходят процессы образования и роста кристаллов, остается весьма проблематичной.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Одной из основных и наиболее сложных задач, возникающих при проектировании кристаллизационного оборудования, является задача расчета основных конструктивных размеров промышленных кристаллизаторов. Сложность этой задачи, особенно при расчете кристаллизаторов с псевдоожиженным слоем, обусловлена тем, что, несмотря на перспективность распространения аппаратов данного типа в химической и других отраслях промышленности, до настояшего времени не разработан надежный инженерный метод их расчета, который позволил бы рассчитать промышленный кристаллизатор с псевдоожиженным слоем, обеспечивающий заданные производительность и качество получаемого продукта при минимальных затратах. Если на основании широко известных уравнений материального и теплового баланса все же удается определить производительность кристаллизатора по кристаллическому продукту и основные конструктивные параметру узла создания пересыщения ( теплообменника для охладительных и испаритшш для вакуумных кристаллизаторов), то задача определения конструктивных параметров одного из основных узлов установки - кристаллорастителя, в котором происходят процессы образования и роста кристаллов, остается весьма проблематичной.