Определение электрических свойств молекулярных полупроводников следует по возможности проводить на монокристал-лических образцах в условиях высокого ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Симон Ж.N. Молекулярные полупроводники


Определение электрических свойств молекулярных полупроводников следует по возможности проводить на монокристал-лических образцах в условиях высокого вакуума. Была определена температурная зависимость темповой проводимости. Было показано, что процесс Проводимости определяется собственными свойствами материала только при температурах, превышающих 140 С. При более низких температурах на проводимость влияет примесный электронный уровень, расположенный па 0 32 эВ ниже края зоны проводимости. Результаты исследований р - РсН2 [361] или р - РсСи [362] согласуются с этим значением ширины запрещенной зокы. Квантовый выход фотогенерации носителей заряда зависит от температуры. Эта величина соответствует разнице энергий между дном электронной зоны и уровнем синглетного возбужденного состояния.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Определение электрических свойств молекулярных полупроводников следует по возможности проводить на монокристал-лических образцах в условиях высокого вакуума.  Была определена температурная зависимость темповой проводимости.  Было показано,  что процесс Проводимости определяется собственными свойствами материала только при температурах,  превышающих 140 С.  При более низких температурах на проводимость влияет примесный электронный уровень,  расположенный па 0 32 эВ ниже края зоны проводимости.  Результаты исследований р - РсН2 [361] или р - РсСи [362] согласуются с этим значением ширины запрещенной зокы.  Квантовый выход фотогенерации носителей заряда зависит от температуры.  Эта величина соответствует разнице энергий между дном электронной зоны и уровнем синглетного возбужденного состояния.