Выдержка из книги
Мазель Е.З.
Мощные транзисторы Вып 22
Моносилан SiH4 неустойчив уже при комнатной температуре, а при температурах выше 600 С он разлагается очень быстро. Поэтому появляется возможность выращивания эпитаксиальных пленок кремния при сравнительно низких температурах. Благодаря низкой температуре подложки не только уменьшается диффузия из нее примесей в растущую пленку, но и сводится к минимуму выделение загрязняющих примесей из подставки, на которой располагаются подложки. Кроме того, пиролиз силана практически необратим. Благодаря этому исключаются некоторые нежелательные явления, сопровождающие взаимодействие тетрахлорида с подложкой и пленкой, и более точно может быть обеспечено заданное удельное сопротивление растущей пленки. Отрицательной стороной силанового процесса является нестабильность SiH вследствие которой реакция может зарождаться в газовой фазе, где будут образовываться частички кремния произвольной ориентации. Эти частички, садясь на растущую пленку, могут нарушать ее монокристалличность. Однако, изменяя условия процесса, можно добиться того, что частички кремния в газовой фазе образовываться не будут.
