Вольт-емкостным методом и послойным травлением исследовано распределение концентрации носителей заряда в автоэпитаксиальных слоях кремния / ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Кузнецов Ф.А. Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Ч 2


Вольт-емкостным методом и послойным травлением исследовано распределение концентрации носителей заряда в автоэпитаксиальных слоях кремния / АЭСК / р - и n - тишзв проводимости, выращенных путем пиролиза гидридов и сублимацией в вакууме на подложках, легированных В, Р и Sb до концентрации - 10 см-3. Ширина концентрационных переходов р - р и п - п, полученных при температурах 700 - 1000 С в вакууме и 1100 С пиролизом гидридов, не превышает 0 2 мкм и может быть обусловлена диффузией примеси из подложки. На концентрационных кривых от АЭСК, выращенных при 1000 - 1100J С на подложках, легированных фосфором, наблюдаются хвосты длиной до 1 мкм, не объяснимые диффузией фосфора из подложки.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Вольт-емкостным методом и послойным травлением исследовано распределение концентрации носителей заряда в автоэпитаксиальных слоях кремния / АЭСК / р - и n - тишзв проводимости, выращенных путем пиролиза гидридов и сублимацией в вакууме на подложках, легированных В, Р и Sb до концентрации - 10 см-3. Ширина концентрационных переходов р - р и п - п, полученных при температурах 700 - 1000 С в вакууме и 1100 С пиролизом гидридов, не превышает 0 2 мкм и может быть обусловлена диффузией примеси из подложки. На концентрационных кривых от АЭСК, выращенных при 1000 - 1100J С на подложках, легированных фосфором, наблюдаются хвосты длиной до 1 мкм, не объяснимые диффузией фосфора из подложки.