Выше отмечалось, что поглощение света полупроводником может привести к образованию электрона в зоне проводимости и ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Павлов П.В. Физика твердого тела


Выше отмечалось, что поглощение света полупроводником может привести к образованию электрона в зоне проводимости и дырки в валентной зоне. Образовавшиеся свободные носители заряда участвуют в процессах рассеяния, в результате чего за время релаксации ( 10 - 10 - 1 ( Н2 с) электрон опускается на дно зоны проводимости, а дырка поднимается к потолку валентной зоны.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Выше отмечалось,  что поглощение света полупроводником может привести к образованию электрона в зоне проводимости и дырки в валентной зоне.  Образовавшиеся свободные носители заряда участвуют в процессах рассеяния,  в результате чего за время релаксации ( 10 - 10 - 1 ( Н2 с) электрон опускается на дно зоны проводимости,  а дырка поднимается к потолку валентной зоны.