Происходящее с ростом легирования увеличение взаимодействия между примесными атомами не исчерпывается образованием примесной зоны. Если ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Фистуль В.И.
Сильно легированные полупроводники
Происходящее с ростом легирования увеличение взаимодействия между примесными атомами не исчерпывается образованием примесной зоны. Если же их концентрация недостаточна для такого выпадения, то они, находясь еще в однофазном растворе, могут существенно влиять на свойства кристалла посредством взаимодействия со структурными дефектами или, возвращаясь опять к электронному аспекту, - посредством образования электрически неактивных центров.
