ШД) являются разновидностью полупроводниковых СВЧ-диодов с отрицательным дифференциальным гптро-чивлением. Отрицательное сопротивление получают в динамическом режиме ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Стародуб К.Я. Радиопередающие устройства


ШД) являются разновидностью полупроводниковых СВЧ-диодов с отрицательным дифференциальным гптро-чивлением. Отрицательное сопротивление получают в динамическом режиме при электрическом пробое и дрейфе носителей заряда в полупроводнике. Конструкция прибора должна обеспечивать достаточную величину отрицательного сопротивления в диапазоне частот и эффективный отвод тепла. На рис. 10.43, а показана одна из возможных структур ЛПД. Обозначения р и п соответствуют увеличенным концентрациям акцепторной и донорной примесей п полупроводнике. Распределения кон - aj центраций доноров А д и акцепторов Na ( числа атомов донорной и акцепторной / примеси в единице объема полупроводника) представлены на рис. 10.43, б, в. В - области содержание донорной примеси ниже, чем в - области; г-область - область собственного полупроводника. Участки структуры р и п обладают высокой электро - н теплопроводностью. Наибольшая напряженность поля получается на границе р - и и-слоев. Именно здесь возникает электрический пробой, начинается лавина. При этом резко возрастает число носителей заряда - электронов и дырок. Носители заряда перемещаются в электрическом поле, взаимодействуют с атомами кристаллической решетки полупроводника и образуют все новые пары свободных электронов и дырок. По мере движения носителей заряда в области сильного поля происходит рост числа пар, что вызывает постепенное возрастание лавинного тока. Взаимодействие носителей заряда, движущихся с большими скоростями, с кристаллической решеткой обычно сопровождается нагреванием полупроводника. Рядом с лавинной областью находится область дрейфа или пролета электронов 2, включающая и i-слой.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

ШД) являются разновидностью полупроводниковых СВЧ-диодов с отрицательным дифференциальным гптро-чивлением.  Отрицательное сопротивление получают в динамическом режиме при электрическом пробое и дрейфе носителей заряда в полупроводнике.  Конструкция прибора должна обеспечивать достаточную величину отрицательного сопротивления в диапазоне частот и эффективный отвод тепла.  На рис. 10.43,  а показана одна из возможных структур ЛПД.  Обозначения р и п соответствуют увеличенным концентрациям акцепторной и донорной примесей п полупроводнике.  Распределения кон - aj центраций доноров А д и акцепторов Na ( числа атомов донорной и акцепторной / примеси в единице объема полупроводника) представлены на рис. 10.43,  б,  в.  В - области содержание донорной примеси ниже,  чем в - области;  г-область  -  область собственного полупроводника.  Участки структуры р и п обладают высокой электро - н теплопроводностью.  Наибольшая напряженность поля получается на границе р  -  и и-слоев.  Именно здесь возникает электрический пробой,  начинается лавина.  При этом резко возрастает число носителей заряда  -  электронов и дырок.  Носители заряда перемещаются в электрическом поле,  взаимодействуют с атомами кристаллической решетки полупроводника и образуют все новые пары свободных электронов и дырок.  По мере движения носителей заряда в области сильного поля происходит рост числа пар,  что вызывает постепенное возрастание лавинного тока.  Взаимодействие носителей заряда,  движущихся с большими скоростями,  с кристаллической решеткой обычно сопровождается нагреванием полупроводника.  Рядом с лавинной областью находится область дрейфа или пролета электронов 2,  включающая и i-слой.