Первые два допущения означают, что падение напряжения в транзисторе локализуется на р-я-переходах, а эффективность эмиттера ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Преснухин Л.Н.
Расчет элементов цифровых устройств
Первые два допущения означают, что падение напряжения в транзисторе локализуется на р-я-переходах, а эффективность эмиттера не зависит от его тока. Из последнего допущения следует, что распределение концентрации носителей в базе насыщенного транзистора является суммой распределений концентраций носителей в базе для нормального и инверсного активных режимов включения транзистора.
